TP86R203NL,LQ

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Numéro d'article TP86R203NL,LQ
LIXINC Part # TP86R203NL,LQ
Fabricant Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description MOSFET N CH 30V 19A 8SOP
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO TP86R203NL,LQ Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Sep 28 - Oct 02 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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TP86R203NL,LQ Caractéristiques

Numéro d'article:TP86R203NL,LQ
Marque:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
série:U-MOSVIII-H
emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:Active
type fet:N-Channel
technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):30 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:19A (Ta)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):4.5V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:6.2mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (max) @ id:2.3V @ 200µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:17 nC @ 10 V
vg (max):±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:1400 pF @ 15 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):1W (Tc)
température de fonctionnement:150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:8-SOP
paquet / caisse:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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