IPD50N06S4L08ATMA2 | IR (Infineon Technologies) IPD50N06S4L08ATMA2 | IPD50N06S4L08ATMA2 Inventory, Best Pricing

IPD50N06S4L08ATMA2

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Numéro d'article	IPD50N06S4L08ATMA2
LIXINC Part #	IPD50N06S4L08ATMA2
Fabricant	IR (Infineon Technologies)
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	IPD50N06S4L08ATMA2 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 28 - Oct 02 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

IPD50N06S4L08ATMA2 Caractéristiques

Numéro d'article:	IPD50N06S4L08ATMA2
Marque:	IR (Infineon Technologies)
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	IR (Infineon Technologies)
série:	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Active
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	60 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	50A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	4.5V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:	7.8mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.2V @ 35µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	64 nC @ 10 V
vg (max):	±16V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	4780 pF @ 25 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	71W (Tc)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	PG-TO252-3-11
paquet / caisse:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

AON6512	MOSFET N-CH 30V 54A/150A 8DFN	883 Plus sur la commande
IPA60R099C7XKSA1	MOSFET N-CH 600V 12A TO220-FP	2453 Plus sur la commande
TSM340N06CH X0G	MOSFET N-CHANNEL 60V 30A TO251	13235 Plus sur la commande
TN0604N3-G-P005	MOSFET N-CH 40V 700MA TO92-3	927 Plus sur la commande
AON6312	MOSFET N-CHANNEL 30V 85A 8DFN	953 Plus sur la commande
FQU2N60CTU	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1	9099 Plus sur la commande
FDS6690A	MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC	16245 Plus sur la commande
NTBG020N120SC1	SICFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK	2022 Plus sur la commande
APT60M75L2LLG	MOSFET N-CH 600V 73A 264 MAX	868 Plus sur la commande
IRFB18N50K	MOSFET N-CH 500V 17A TO220AB	997 Plus sur la commande
TK62N60W,S1VF	MOSFET N-CH 600V 61.8A TO247	852 Plus sur la commande
IXTA08N50D2	MOSFET N-CH 500V 800MA TO263	1343754 Plus sur la commande
APT10035JLL	MOSFET N-CH 1000V 25A ISOTOP	863 Plus sur la commande