NTBG020N120SC1

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Numéro d'article NTBG020N120SC1
LIXINC Part # NTBG020N120SC1
Fabricant Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description SICFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO NTBG020N120SC1 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Sep 29 - Oct 03 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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NTBG020N120SC1 Caractéristiques

Numéro d'article:NTBG020N120SC1
Marque:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
série:-
emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:Active
type fet:N-Channel
technologie:SiCFET (Silicon Carbide)
tension drain-source (vdss):1200 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:8.6A (Ta), 98A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):20V
rds sur (max) @ id, vgs:28mOhm @ 60A, 20V
vgs(th) (max) @ id:4.3V @ 20mA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:220 nC @ 20 V
vg (max):+25V, -15V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:2943 pF @ 800 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):3.7W (Ta), 468W (Tc)
température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:D2PAK-7
paquet / caisse:TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

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