TK62N60W,S1VF

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Numéro d'article TK62N60W,S1VF
LIXINC Part # TK62N60W,S1VF
Fabricant Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description MOSFET N-CH 600V 61.8A TO247
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO TK62N60W,S1VF Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Sep 29 - Oct 03 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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TK62N60W,S1VF Caractéristiques

Numéro d'article:TK62N60W,S1VF
Marque:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
série:DTMOSIV
emballer:Tube
état de la pièce:Active
type fet:N-Channel
technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):600 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:61.8A (Ta)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):10V
rds sur (max) @ id, vgs:40mOhm @ 30.9A, 10V
vgs(th) (max) @ id:3.7V @ 3.1mA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:180 nC @ 10 V
vg (max):±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:6500 pF @ 300 V
fonction fet:Super Junction
puissance dissipée (max):400W (Tc)
température de fonctionnement:150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
paquet de dispositif de fournisseur:TO-247
paquet / caisse:TO-247-3

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