BUK652R6-40C,127

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Numéro d'article BUK652R6-40C,127
LIXINC Part # BUK652R6-40C,127
Fabricant Rochester Electronics
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO BUK652R6-40C,127 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
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BUK652R6-40C,127 Caractéristiques

Numéro d'article:BUK652R6-40C,127
Marque:Rochester Electronics
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:Rochester Electronics
série:Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
emballer:Tube
état de la pièce:Active
type fet:N-Channel
technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):40 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:120A (Ta)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):-
rds sur (max) @ id, vgs:2.7mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max) @ id:2.8V @ 1mA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:199 nC @ 10 V
vg (max):±16V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:11334 pF @ 25 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):263W (Ta)
température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
paquet de dispositif de fournisseur:TO-220AB
paquet / caisse:TO-220-3

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