RDD050N20TL | ROHM Semiconductor RDD050N20TL | RDD050N20TL Inventory, Best Pricing

RDD050N20TL

Agrandir

Pour référence seulement

Numéro d'article	RDD050N20TL
LIXINC Part #	RDD050N20TL
Fabricant	ROHM Semiconductor
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 200V 5A CPT3
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	RDD050N20TL Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 22 - Sep 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

RDD050N20TL Caractéristiques

Numéro d'article:	RDD050N20TL
Marque:	ROHM Semiconductor
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	ROHM Semiconductor
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Not For New Designs
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	200 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	5A (Ta)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	10V
rds sur (max) @ id, vgs:	720mOhm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 1mA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	9.3 nC @ 10 V
vg (max):	±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	292 pF @ 10 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	20W (Tc)
température de fonctionnement:	-
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	CPT3
paquet / caisse:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63