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Numéro d'article | TK100E08N1,S1X |
LIXINC Part # | TK100E08N1,S1X |
Fabricant | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
Catégorie | semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples |
Description | MOSFET N-CH 80V 100A TO220 |
Cycle de vie | Actif |
RoHS | Aucune information RoHS |
Modèles EDA/CAO | TK100E08N1,S1X Empreinte et symbole PCB |
Entrepôts | États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong |
Délai de livraison estimé | Sep 22 - Sep 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée) |
garantie | Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]* |
Paiement | |
Expédition |
Numéro d'article: | TK100E08N1,S1X |
Marque: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
Cycle de vie: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Catégorie: | semi-conducteur discret |
Sous-catégorie: | transistors - fets, mosfets - simples |
Fabricant: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
série: | U-MOSVIII-H |
emballer: | Tube |
état de la pièce: | Active |
type fet: | N-Channel |
technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
tension drain-source (vdss): | 80 V |
courant - drain continu (id) @ 25°c: | 100A (Ta) |
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé): | 10V |
rds sur (max) @ id, vgs: | 3.2mOhm @ 50A, 10V |
vgs(th) (max) @ id: | 4V @ 1mA |
charge de grille (qg) (max) @ vgs: | 130 nC @ 10 V |
vg (max): | ±20V |
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds: | 9000 pF @ 40 V |
fonction fet: | - |
puissance dissipée (max): | 255W (Tc) |
température de fonctionnement: | 150°C (TJ) |
Type de montage: | Through Hole |
paquet de dispositif de fournisseur: | TO-220 |
paquet / caisse: | TO-220-3 |
FDB8896-F085 | 19A, 30V, 0.0068OHM, N-CHANNEL, | 22525 Plus sur la commande |
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TPH3206LD | GANFET N-CH 600V 17A PQFN | 948 Plus sur la commande |
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IPD70N10S312ATMA1 | MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3 | 12138 Plus sur la commande |
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TP2535N3-G | MOSFET P-CH 350V 86MA TO92-3 | 1651 Plus sur la commande |
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DMG3414U-7 | MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3 | 173062 Plus sur la commande |
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PMXB65ENEZ | MOSFET N-CH 30V 3.2A DFN1010D-3 | 4108 Plus sur la commande |
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IXFN82N60P | MOSFET N-CH 600V 72A SOT-227B | 901 Plus sur la commande |
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SIHP17N80E-BE3 | MOSFET N-CH 800V 15A TO220AB | 1828 Plus sur la commande |
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IRFR320PBF | MOSFET N-CH 400V 3.1A DPAK | 1046 Plus sur la commande |
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SPD100N03S2L-04 | MOSFET N-CH 30V 100A TO252-5 | 5986 Plus sur la commande |
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TK30A06N1,S4X | MOSFET N-CH 60V 30A TO220SIS | 1495 Plus sur la commande |
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IXTQ140N10P | MOSFET N-CH 100V 140A TO3P | 1129 Plus sur la commande |
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AUIRF7738L2TR | MOSFET N-CH 40V 35A/130A DIRECT | 8047 Plus sur la commande |
En stock | 10987 - Plus sur la commande |
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Limite de devis | Sans limites |
Délai de mise en œuvre | Être confirmé |
Le minimum | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $3.79000 | $3.79 |
50 | $3.04554 | $152.277 |
100 | $2.77482 | $277.482 |
500 | $2.24693 | $1123.465 |
1000 | $1.89500 | $1895 |
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