IXFB60N80P | Wickmann / Littelfuse IXFB60N80P | IXFB60N80P Inventory, Best Pricing

IXFB60N80P

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Numéro d'article	IXFB60N80P
LIXINC Part #	IXFB60N80P
Fabricant	Wickmann / Littelfuse
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 800V 60A PLUS264
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	IXFB60N80P Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 22 - Sep 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

IXFB60N80P Caractéristiques

Numéro d'article:	IXFB60N80P
Marque:	Wickmann / Littelfuse
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Wickmann / Littelfuse
série:	HiPerFET™, PolarHT™
emballer:	Tube
état de la pièce:	Active
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	800 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	60A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	10V
rds sur (max) @ id, vgs:	140mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	5V @ 8mA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	250 nC @ 10 V
vg (max):	±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	18000 pF @ 25 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	1250W (Tc)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Through Hole
paquet de dispositif de fournisseur:	PLUS264™
paquet / caisse:	TO-264-3, TO-264AA