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EPC2001C

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Numéro d'article	EPC2001C
LIXINC Part #	EPC2001C
Fabricant	EPC
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	GANFET N-CH 100V 36A DIE OUTLINE
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	EPC2001C Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Jul 05 - Jul 09 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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Expédition

EPC2001C Caractéristiques

Numéro d'article:	EPC2001C
Marque:	EPC
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	EPC
série:	eGaN®
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Active
type fet:	N-Channel
technologie:	GaNFET (Gallium Nitride)
tension drain-source (vdss):	100 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	36A (Ta)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	5V
rds sur (max) @ id, vgs:	7mOhm @ 25A, 5V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 5mA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	9 nC @ 5 V
vg (max):	+6V, -4V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	900 pF @ 50 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	-
température de fonctionnement:	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	Die Outline (11-Solder Bar)
paquet / caisse:	Die