BSZ100N03MSGATMA1 | IR (Infineon Technologies) BSZ100N03MSGATMA1 | BSZ100N03MSGATMA1 Inventory, Best Pricing

BSZ100N03MSGATMA1

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Numéro d'article	BSZ100N03MSGATMA1
LIXINC Part #	BSZ100N03MSGATMA1
Fabricant	IR (Infineon Technologies)
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 30V 10A/40A 8TSDSON
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	BSZ100N03MSGATMA1 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Jul 03 - Jul 07 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

BSZ100N03MSGATMA1 Caractéristiques

Numéro d'article:	BSZ100N03MSGATMA1
Marque:	IR (Infineon Technologies)
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	IR (Infineon Technologies)
série:	OptiMOS™
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Active
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	30 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	10A (Ta), 40A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	4.5V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:	9.1mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	23 nC @ 10 V
vg (max):	±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	1700 pF @ 15 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	2.1W (Ta), 30W (Tc)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	PG-TSDSON-8
paquet / caisse:	8-PowerTDFN

TSM60N750CP ROG	MOSFET N-CHANNEL 600V 6A TO252	915 Plus sur la commande
SIA462DJ-T1-GE3	MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6	994 Plus sur la commande
SISH101DN-T1-GE3	MOSFET P-CH 30V 16.9A/35A PPAK	8288 Plus sur la commande
DMP2004TK-7	MOSFET P-CH 20V 430MA SOT523	1038 Plus sur la commande
IRFR13N15DTRPBF	MOSFET N-CH 150V 14A DPAK	972 Plus sur la commande
MTW24N40E	N-CHANNEL POWER MOSFET	4215 Plus sur la commande
BSC022N04LSATMA1	MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8-6	27921 Plus sur la commande
SPA15N60CFDXKSA1	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1	1435 Plus sur la commande
RU1C001UNTCL	MOSFET N-CH 20V 100MA UMT3F	3189 Plus sur la commande
DMT6016LSS-13	MOSFET N-CH 60V 9.2A 8SO	891 Plus sur la commande
FDD6670AS	MOSFET N-CH 30V 76A TO252	1412 Plus sur la commande
IRLL024ZPBF	MOSFET N-CH 55V 5A SOT223	892 Plus sur la commande
IRFZ44RPBF-BE3	MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB	1989 Plus sur la commande