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TPS1101D

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Numéro d'article	TPS1101D
LIXINC Part #	TPS1101D
Fabricant	Texas Instruments
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET P-CH 15V 2.3A 8SOIC
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	TPS1101D Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Aug 13 - Aug 17 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

TPS1101D Caractéristiques

Numéro d'article:	TPS1101D
Marque:	Texas Instruments
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Texas Instruments
série:	-
emballer:	Tube
état de la pièce:	Active
type fet:	P-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	15 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	2.3A (Ta)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	2.7V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:	90mOhm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	1.5V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	11.25 nC @ 10 V
vg (max):	+2V, -15V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	-
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	791mW (Ta)
température de fonctionnement:	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	8-SOIC
paquet / caisse:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)