IPU50R950CEAKMA1

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Numéro d'article IPU50R950CEAKMA1
LIXINC Part # IPU50R950CEAKMA1
Fabricant Rochester Electronics
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description MOSFET N-CH 500V 4.3A TO251-3
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO IPU50R950CEAKMA1 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
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IPU50R950CEAKMA1 Caractéristiques

Numéro d'article:IPU50R950CEAKMA1
Marque:Rochester Electronics
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:Rochester Electronics
série:CoolMOS™ CE
emballer:Tube
état de la pièce:Obsolete
type fet:N-Channel
technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):500 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:4.3A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):13V
rds sur (max) @ id, vgs:950mOhm @ 1.2A, 13V
vgs(th) (max) @ id:3.5V @ 100µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:10.5 nC @ 10 V
vg (max):±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:231 pF @ 100 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):53W (Tc)
température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
paquet de dispositif de fournisseur:PG-TO251-3
paquet / caisse:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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