FDB86102LZ | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FDB86102LZ

FDB86102LZ

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Numéro d'article	FDB86102LZ
LIXINC Part #	FDB86102LZ
Fabricant	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 100V 8.3A/30A TO263
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	FDB86102LZ Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 25 - Sep 29 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

FDB86102LZ Caractéristiques

Numéro d'article:	FDB86102LZ
Marque:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
série:	PowerTrench®
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Active
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	100 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	8.3A (Ta), 30A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	4.5V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:	24mOhm @ 8.3A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	21 nC @ 10 V
vg (max):	±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	1275 pF @ 50 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	3.1W (Ta)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	TO-263AB
paquet / caisse:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB