FDMS86350ET80 | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FDMS86350ET80

FDMS86350ET80

Agrandir

Pour référence seulement

Numéro d'article	FDMS86350ET80
LIXINC Part #	FDMS86350ET80
Fabricant	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 80V 25A/198A POWER56
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	FDMS86350ET80 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 25 - Sep 29 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

FDMS86350ET80 Caractéristiques

Numéro d'article:	FDMS86350ET80
Marque:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
série:	PowerTrench®
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Active
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	80 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	25A (Ta), 198A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	8V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:	2.4mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4.5V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	155 nC @ 10 V
vg (max):	±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	8030 pF @ 40 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	3.3W (Ta), 187W (Tc)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	Power56
paquet / caisse:	8-PowerTDFN