IRFD213

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Numéro d'article IRFD213
LIXINC Part # IRFD213
Fabricant Rochester Electronics
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description MOSFET N-CH 250V 450MA 4DIP
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO IRFD213 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Sep 26 - Sep 30 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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IRFD213 Caractéristiques

Numéro d'article:IRFD213
Marque:Rochester Electronics
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:Rochester Electronics
série:-
emballer:Tube
état de la pièce:Obsolete
type fet:N-Channel
technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):250 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:450mA (Ta)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):-
rds sur (max) @ id, vgs:2Ohm @ 270mA, 10V
vgs(th) (max) @ id:4V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:8.2 nC @ 10 V
vg (max):-
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:140 pF @ 25 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):-
température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
paquet de dispositif de fournisseur:4-DIP, Hexdip, HVMDIP
paquet / caisse:4-DIP (0.300", 7.62mm)

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