BSM400C12P3G202 | ROHM Semiconductor BSM400C12P3G202 | BSM400C12P3G202 Inventory, Best Pricing

BSM400C12P3G202

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Numéro d'article	BSM400C12P3G202
LIXINC Part #	BSM400C12P3G202
Fabricant	ROHM Semiconductor
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	SICFET N-CH 1200V 400A MODULE
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	BSM400C12P3G202 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 26 - Sep 30 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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Expédition

BSM400C12P3G202 Caractéristiques

Numéro d'article:	BSM400C12P3G202
Marque:	ROHM Semiconductor
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	ROHM Semiconductor
série:	-
emballer:	Tray
état de la pièce:	Active
type fet:	N-Channel
technologie:	SiCFET (Silicon Carbide)
tension drain-source (vdss):	1200 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	400A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	-
rds sur (max) @ id, vgs:	-
vgs(th) (max) @ id:	5.6V @ 106.8mA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	-
vg (max):	+22V, -4V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	17000 pF @ 10 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	1570W (Tc)
température de fonctionnement:	175°C (TJ)
Type de montage:	Chassis Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	Module
paquet / caisse:	Module