NTTFS008P03P8Z | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NTTFS008P03P8Z

NTTFS008P03P8Z

Agrandir

Pour référence seulement

Numéro d'article	NTTFS008P03P8Z
LIXINC Part #	NTTFS008P03P8Z
Fabricant	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET P-CH 30V 22A/96A 8PQFN
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	NTTFS008P03P8Z Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 26 - Sep 30 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

NTTFS008P03P8Z Caractéristiques

Numéro d'article:	NTTFS008P03P8Z
Marque:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Active
type fet:	P-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	30 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	22A (Ta), 96A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	4.5V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:	3.8mOhm @ 18A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	134 nC @ 10 V
vg (max):	±25V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	5600 pF @ 15 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	2.36W (Ta), 50W (Tc)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	8-PQFN (3.3x3.3)
paquet / caisse:	8-PowerWDFN