CSD19535KTTT | Texas Instruments CSD19535KTTT | CSD19535KTTT Inventory, Best Pricing

CSD19535KTTT

Agrandir

Pour référence seulement

Numéro d'article	CSD19535KTTT
LIXINC Part #	CSD19535KTTT
Fabricant	Texas Instruments
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	CSD19535KTTT Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 26 - Sep 30 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

CSD19535KTTT Caractéristiques

Numéro d'article:	CSD19535KTTT
Marque:	Texas Instruments
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Texas Instruments
série:	NexFET™
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Active
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	100 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	200A (Ta)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	6V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:	3.4mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.4V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	98 nC @ 10 V
vg (max):	±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	7930 pF @ 50 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	300W (Tc)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	DDPAK/TO-263-3
paquet / caisse:	TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA