SIHB12N60ET1-GE3 | Vishay / Siliconix SIHB12N60ET1-GE3 | SIHB12N60ET1-GE3 Inventory, Best Pricing

SIHB12N60ET1-GE3

Agrandir

Pour référence seulement

Numéro d'article	SIHB12N60ET1-GE3
LIXINC Part #	SIHB12N60ET1-GE3
Fabricant	Vishay / Siliconix
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 600V 12A TO263
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	SIHB12N60ET1-GE3 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 27 - Oct 01 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

SIHB12N60ET1-GE3 Caractéristiques

Numéro d'article:	SIHB12N60ET1-GE3
Marque:	Vishay / Siliconix
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Vishay / Siliconix
série:	E
emballer:	Bulk
état de la pièce:	Active
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	600 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	12A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	10V
rds sur (max) @ id, vgs:	380mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	58 nC @ 10 V
vg (max):	±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	937 pF @ 100 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	147W (Tc)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	TO-263 (D²Pak)
paquet / caisse:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB