FQD6N60CTM-WS

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Numéro d'article FQD6N60CTM-WS
LIXINC Part # FQD6N60CTM-WS
Fabricant Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description MOSFET N-CH 600V 4A DPAK
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO FQD6N60CTM-WS Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Sep 28 - Oct 02 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

FQD6N60CTM-WS Caractéristiques

Numéro d'article:FQD6N60CTM-WS
Marque:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
série:QFET®
emballer:Tape & Reel (TR)
état de la pièce:Not For New Designs
type fet:N-Channel
technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):600 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:4A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):10V
rds sur (max) @ id, vgs:2Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (max) @ id:4V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:20 nC @ 10 V
vg (max):±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:810 pF @ 25 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):80W (Tc)
température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:D-Pak
paquet / caisse:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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