R6004JND3TL1 | ROHM Semiconductor R6004JND3TL1 | R6004JND3TL1 Inventory, Best Pricing

R6004JND3TL1

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Numéro d'article	R6004JND3TL1
LIXINC Part #	R6004JND3TL1
Fabricant	ROHM Semiconductor
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 600V 4A TO252
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	R6004JND3TL1 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 22 - Sep 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

R6004JND3TL1 Caractéristiques

Numéro d'article:	R6004JND3TL1
Marque:	ROHM Semiconductor
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	ROHM Semiconductor
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Active
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	600 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	4A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	15V
rds sur (max) @ id, vgs:	1.43Ohm @ 2A, 15V
vgs(th) (max) @ id:	7V @ 450µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	10.5 nC @ 15 V
vg (max):	±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	260 pF @ 100 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	60W (Tc)
température de fonctionnement:	150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	TO-252
paquet / caisse:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63