H5N2512FN-E | Rochester Electronics H5N2512FN-E | H5N2512FN-E Inventory, Best Pricing

H5N2512FN-E

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Numéro d'article	H5N2512FN-E
LIXINC Part #	H5N2512FN-E
Fabricant	Rochester Electronics
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	N-CHANNEL POWER MOSFET
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	H5N2512FN-E Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 20 - Oct 24 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

H5N2512FN-E Caractéristiques

Numéro d'article:	H5N2512FN-E
Marque:	Rochester Electronics
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Rochester Electronics
série:	*
emballer:	Bulk
état de la pièce:	Active
type fet:	-
technologie:	-
tension drain-source (vdss):	-
courant - drain continu (id) @ 25°c:	-
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	-
rds sur (max) @ id, vgs:	-
vgs(th) (max) @ id:	-
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	-
vg (max):	-
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	-
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	-
température de fonctionnement:	-
Type de montage:	-
paquet de dispositif de fournisseur:	-
paquet / caisse:	-