DMTH8012LPSQ-13 | Zetex Semiconductors (Diodes Inc.) DMTH8012LPSQ-13

DMTH8012LPSQ-13

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Numéro d'article	DMTH8012LPSQ-13
LIXINC Part #	DMTH8012LPSQ-13
Fabricant	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 80V 10A PWRDI5060
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	DMTH8012LPSQ-13 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 21 - Oct 25 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

DMTH8012LPSQ-13 Caractéristiques

Numéro d'article:	DMTH8012LPSQ-13
Marque:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
série:	Automotive, AEC-Q101
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Active
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	80 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	10A (Ta), 72A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	4.5V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:	17mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	46.8 nC @ 10 V
vg (max):	±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	2051 pF @ 40 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	2.6W (Ta), 136W (Tc)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	PowerDI5060-8
paquet / caisse:	8-PowerTDFN