CSD19534Q5AT | Texas Instruments CSD19534Q5AT | CSD19534Q5AT Inventory, Best Pricing

CSD19534Q5AT

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Numéro d'article	CSD19534Q5AT
LIXINC Part #	CSD19534Q5AT
Fabricant	Texas Instruments
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	CSD19534Q5AT Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 21 - Oct 25 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

CSD19534Q5AT Caractéristiques

Numéro d'article:	CSD19534Q5AT
Marque:	Texas Instruments
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Texas Instruments
série:	NexFET™
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Active
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	100 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	50A (Ta)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	6V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:	15.1mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.4V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	22 nC @ 10 V
vg (max):	±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	1680 pF @ 50 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	3.2W (Ta), 63W (Tc)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	8-VSONP (5x6)
paquet / caisse:	8-PowerTDFN