NTLJS4149PTAG | Rochester Electronics NTLJS4149PTAG | NTLJS4149PTAG Inventory, Best Pricing

NTLJS4149PTAG

Agrandir

Pour référence seulement

Numéro d'article	NTLJS4149PTAG
LIXINC Part #	NTLJS4149PTAG
Fabricant	Rochester Electronics
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET P-CH 30V 2.7A 6WDFN
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	NTLJS4149PTAG Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 22 - Oct 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

NTLJS4149PTAG Caractéristiques

Numéro d'article:	NTLJS4149PTAG
Marque:	Rochester Electronics
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Rochester Electronics
série:	-
emballer:	Bulk
état de la pièce:	Obsolete
type fet:	P-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	30 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	2.7A (Ta)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	2.5V, 4.5V
rds sur (max) @ id, vgs:	62mOhm @ 2A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	1V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	15 nC @ 4.5 V
vg (max):	±12V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	960 pF @ 15 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	700mW (Ta)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	6-WDFN (2x2)
paquet / caisse:	6-WDFN Exposed Pad