SIHD1K4N60E-GE3

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Numéro d'article SIHD1K4N60E-GE3
LIXINC Part # SIHD1K4N60E-GE3
Fabricant Vishay / Siliconix
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description MOSFET N-CH 600V 4.2A TO252AA
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO SIHD1K4N60E-GE3 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 23 - Oct 27 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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SIHD1K4N60E-GE3 Caractéristiques

Numéro d'article:SIHD1K4N60E-GE3
Marque:Vishay / Siliconix
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:Vishay / Siliconix
série:E
emballer:Bulk
état de la pièce:Active
type fet:N-Channel
technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):600 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:4.2A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):10V
rds sur (max) @ id, vgs:1.45Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max) @ id:5V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:7.5 nC @ 10 V
vg (max):±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:172 pF @ 100 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):63W (Tc)
température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:TO-252AA
paquet / caisse:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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