NTMYS5D3N04CTWG | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NTMYS5D3N04CTWG

NTMYS5D3N04CTWG

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Numéro d'article	NTMYS5D3N04CTWG
LIXINC Part #	NTMYS5D3N04CTWG
Fabricant	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 40V 19A/71A 4LFPAK
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	NTMYS5D3N04CTWG Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 22 - Sep 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

NTMYS5D3N04CTWG Caractéristiques

Numéro d'article:	NTMYS5D3N04CTWG
Marque:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Active
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	40 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	19A (Ta), 71A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	10V
rds sur (max) @ id, vgs:	5.3mOhm @ 35A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.5V @ 40µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	16 nC @ 10 V
vg (max):	±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	1000 pF @ 25 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	3.6W (Ta), 50W (Tc)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	4-LFPAK
paquet / caisse:	SOT-1023, 4-LFPAK