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Numéro d'article | IPD088N06N3GBTMA1 |
LIXINC Part # | IPD088N06N3GBTMA1 |
Fabricant | IR (Infineon Technologies) |
Catégorie | semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples |
Description | MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3 |
Cycle de vie | Actif |
RoHS | Aucune information RoHS |
Modèles EDA/CAO | IPD088N06N3GBTMA1 Empreinte et symbole PCB |
Entrepôts | États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong |
Délai de livraison estimé | Sep 22 - Sep 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée) |
garantie | Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]* |
Paiement | |
Expédition |
Numéro d'article: | IPD088N06N3GBTMA1 |
Marque: | IR (Infineon Technologies) |
Cycle de vie: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Catégorie: | semi-conducteur discret |
Sous-catégorie: | transistors - fets, mosfets - simples |
Fabricant: | IR (Infineon Technologies) |
série: | OptiMOS™ |
emballer: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
état de la pièce: | Active |
type fet: | N-Channel |
technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
tension drain-source (vdss): | 60 V |
courant - drain continu (id) @ 25°c: | 50A (Tc) |
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé): | 10V |
rds sur (max) @ id, vgs: | 8.8mOhm @ 50A, 10V |
vgs(th) (max) @ id: | 4V @ 34µA |
charge de grille (qg) (max) @ vgs: | 48 nC @ 10 V |
vg (max): | ±20V |
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds: | 3900 pF @ 30 V |
fonction fet: | - |
puissance dissipée (max): | 71W (Tc) |
température de fonctionnement: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage: | Surface Mount |
paquet de dispositif de fournisseur: | PG-TO252-3 |
paquet / caisse: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
CSD18501Q5A | MOSFET N-CH 40V 22A/100A 8VSON | 53564 Plus sur la commande |
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IPW65R110CFDFKSA1 | MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247-3 | 1125 Plus sur la commande |
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BUK9Y7R2-60E,115 | MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56 | 1183 Plus sur la commande |
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IAUS300N08S5N012ATMA1 | IAUS300N08 - 75V-120V N-CHANNEL | 850 Plus sur la commande |
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FDD8882 | MOSFET N-CH 30V 12.6/55A TO252AA | 982 Plus sur la commande |
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IPDD60R080G7XTMA1 | MOSFET N-CH 600V 29A HDSOP-10 | 2722 Plus sur la commande |
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RM6N800IP | MOSFET N-CHANNEL 800V 6A TO251 | 823 Plus sur la commande |
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STF21N90K5 | MOSFET N-CH 900V 18.5A TO220FP | 2402 Plus sur la commande |
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APT26M100JCU3 | MOSFET N-CH 1000V 26A SOT227 | 849 Plus sur la commande |
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FDB5800 | MOSFET N-CH 60V 14A/80A D2PAK | 4954 Plus sur la commande |
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IPB80N06S2L-11 | IPB80N06 - 55V-60V N-CHANNEL AUT | 10552 Plus sur la commande |
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SQJ476EP-T1_GE3 | MOSFET N-CH 100V 23A PPAK SO-8 | 3548 Plus sur la commande |
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RJK0456DPB-00#J5 | MOSFET N-CH 40V 50A LFPAK | 988 Plus sur la commande |
En stock | 10811 - Plus sur la commande |
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Limite de devis | Sans limites |
Délai de mise en œuvre | Être confirmé |
Le minimum | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $1.23000 | $1.23 |
2500 | $0.54458 | $1361.45 |
5000 | $0.51735 | $2586.75 |
12500 | $0.49790 | $6223.75 |
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