HUF76113T3ST

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Numéro d'article HUF76113T3ST
LIXINC Part # HUF76113T3ST
Fabricant Rochester Electronics
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description N-CHANNEL POWER MOSFET
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO HUF76113T3ST Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Sep 27 - Oct 01 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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HUF76113T3ST Caractéristiques

Numéro d'article:HUF76113T3ST
Marque:Rochester Electronics
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:Rochester Electronics
série:*
emballer:Bulk
état de la pièce:Active
type fet:-
technologie:-
tension drain-source (vdss):-
courant - drain continu (id) @ 25°c:-
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):-
rds sur (max) @ id, vgs:-
vgs(th) (max) @ id:-
charge de grille (qg) (max) @ vgs:-
vg (max):-
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:-
fonction fet:-
puissance dissipée (max):-
température de fonctionnement:-
Type de montage:-
paquet de dispositif de fournisseur:-
paquet / caisse:-

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