SQ3425EV-T1_BE3 | Vishay / Siliconix SQ3425EV-T1_BE3 | SQ3425EV-T1

SQ3425EV-T1_BE3

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Numéro d'article	SQ3425EV-T1_BE3
LIXINC Part #	SQ3425EV-T1_BE3
Fabricant	Vishay / Siliconix
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET P-CH 20V 7.4A SOT23-3
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	SQ3425EV-T1_BE3 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 28 - Oct 02 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

SQ3425EV-T1_BE3 Caractéristiques

Numéro d'article:	SQ3425EV-T1_BE3
Marque:	Vishay / Siliconix
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Vishay / Siliconix
série:	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Active
type fet:	P-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	20 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	7.4A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	2.5V, 4.5V
rds sur (max) @ id, vgs:	60mOhm @ 4.7A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	1.4V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	10.3 nC @ 4.5 V
vg (max):	±12V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	840 pF @ 10 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	5W (Tc)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	SOT-23-3 (TO-236)
paquet / caisse:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

FDB047N10	MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK	2970 Plus sur la commande
FQI27N25TU-F085	25.5A, 250V, 0.11OHM, N-CHANNEL	4989 Plus sur la commande
NTMFS5C460NLT1G	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR	920 Plus sur la commande
2N7002P,235	MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB	262012 Plus sur la commande
RQ6E045BNTCR	MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT	2992 Plus sur la commande
NTE2930	MOSFET N-CHANNEL 100V 31A TO3PML	1359 Plus sur la commande
NVMFS5C410NLT3G	MOSFET N-CH 40V 48A/315A 5DFN	960 Plus sur la commande
FQA32N20C	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3	36284 Plus sur la commande
AOTF190A60CL	MOSFET N-CH 600V 20A TO220F	1710 Plus sur la commande
R5011ANJTL	MOSFET N-CH 500V 11A LPTS	949 Plus sur la commande
NTMFS4C08NT1G-001	MOSFET N-CH 30V 9A/52A 5DFN	3896 Plus sur la commande
NVMFS4C05NWFT1G	MOSFET N-CH 30V 24.7A/116A 5DFN	60956 Plus sur la commande
SQJ460AEP-T2_GE3	MOSFET N-CH 60V 58A PPAK SO-8	901 Plus sur la commande