STB4NK60Z-1

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Numéro d'article STB4NK60Z-1
LIXINC Part # STB4NK60Z-1
Fabricant STMicroelectronics
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description MOSFET N-CH 600V 4A I2PAK
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO STB4NK60Z-1 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Sep 28 - Oct 02 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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STB4NK60Z-1 Caractéristiques

Numéro d'article:STB4NK60Z-1
Marque:STMicroelectronics
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:STMicroelectronics
série:SuperMESH™
emballer:Tube
état de la pièce:Not For New Designs
type fet:N-Channel
technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):600 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:4A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):10V
rds sur (max) @ id, vgs:2Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (max) @ id:4.5V @ 50µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:26 nC @ 10 V
vg (max):±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:510 pF @ 25 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):70W (Tc)
température de fonctionnement:150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
paquet de dispositif de fournisseur:I2PAK
paquet / caisse:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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