AONR66922 | Alpha and Omega Semiconductor, Inc. AONR66922

AONR66922

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Numéro d'article	AONR66922
LIXINC Part #	AONR66922
Fabricant	Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 100V 15A/50A 8DFN
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	AONR66922 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 28 - Oct 02 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

AONR66922 Caractéristiques

Numéro d'article:	AONR66922
Marque:	Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
série:	AlphaSGT™
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Active
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	100 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	15A (Ta), 50A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	4.5V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:	9mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	46 nC @ 10 V
vg (max):	±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	2180 pF @ 50 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	4.1W (Ta), 52W (Tc)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	8-DFN-EP (3.3x3.3)
paquet / caisse:	8-PowerWDFN