IPB80N06S405ATMA2 | IR (Infineon Technologies) IPB80N06S405ATMA2 | IPB80N06S405ATMA2 Inventory, Best Pricing

IPB80N06S405ATMA2

Agrandir

Pour référence seulement

Numéro d'article	IPB80N06S405ATMA2
LIXINC Part #	IPB80N06S405ATMA2
Fabricant	IR (Infineon Technologies)
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	IPB80N06S405ATMA2 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 28 - Oct 02 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

IPB80N06S405ATMA2 Caractéristiques

Numéro d'article:	IPB80N06S405ATMA2
Marque:	IR (Infineon Technologies)
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	IR (Infineon Technologies)
série:	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
emballer:	Tape & Reel (TR)
état de la pièce:	Active
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	60 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	80A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	10V
rds sur (max) @ id, vgs:	5.7mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 60µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	81 nC @ 10 V
vg (max):	±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	6500 pF @ 25 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	107W (Tc)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	PG-TO263-3-2
paquet / caisse:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

NTTFS4C05NTAG	MOSFET N-CH 30V 12A/75A 8WDFN	936 Plus sur la commande
IAUT200N08S5N023ATMA1	MOSFET N-CH 80V 200A 8HSOF	2545 Plus sur la commande
PSMN1R8-30BL,118	MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK	877 Plus sur la commande
PMF780SN,115	MOSFET N-CH 60V 570MA SOT323-3	120991 Plus sur la commande
IPB60R045P7ATMA1	MOSFET N-CH 600V 61A TO263-3-2	987 Plus sur la commande
IRFU220PBF	MOSFET N-CH 200V 4.8A TO251AA	3408 Plus sur la commande
2SJ254	P-CHANNEL POWER MOSFET	18752 Plus sur la commande
IRLU3110ZPBF	MOSFET N-CH 100V 42A IPAK	839 Plus sur la commande
IRFU110PBF	MOSFET N-CH 100V 4.3A TO251AA	7372 Plus sur la commande
NTD5802NT4G	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1	1681 Plus sur la commande
DMP3008SFGQ-13	MOSFET P-CH 30V 8.6A PWRDI3333-8	1121 Plus sur la commande
AO4425	MOSFET P-CH 38V 14A 8SOIC	108858 Plus sur la commande
AUIRFS4115	MOSFET N-CH 150V 99A D2PAK	4766 Plus sur la commande