IAUT200N08S5N023ATMA1 | IR (Infineon Technologies) IAUT200N08S5N023ATMA1 | IAUT200N08S5N023ATMA1 Inventory, Best Pricing

IAUT200N08S5N023ATMA1

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Numéro d'article	IAUT200N08S5N023ATMA1
LIXINC Part #	IAUT200N08S5N023ATMA1
Fabricant	IR (Infineon Technologies)
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 80V 200A 8HSOF
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	IAUT200N08S5N023ATMA1 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 28 - Oct 02 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

IAUT200N08S5N023ATMA1 Caractéristiques

Numéro d'article:	IAUT200N08S5N023ATMA1
Marque:	IR (Infineon Technologies)
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	IR (Infineon Technologies)
série:	OptiMOS™-5
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Active
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	80 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	200A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	6V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:	2.3mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.8V @ 130µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	110 nC @ 10 V
vg (max):	±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	7670 pF @ 40 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	200W (Tc)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	PG-HSOF-8-1
paquet / caisse:	8-PowerSFN

PSMN1R8-30BL,118	MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK	991 Plus sur la commande
PMF780SN,115	MOSFET N-CH 60V 570MA SOT323-3	120997 Plus sur la commande
IPB60R045P7ATMA1	MOSFET N-CH 600V 61A TO263-3-2	987 Plus sur la commande
IRFU220PBF	MOSFET N-CH 200V 4.8A TO251AA	3477 Plus sur la commande
2SJ254	P-CHANNEL POWER MOSFET	18743 Plus sur la commande
IRLU3110ZPBF	MOSFET N-CH 100V 42A IPAK	993 Plus sur la commande
IRFU110PBF	MOSFET N-CH 100V 4.3A TO251AA	7365 Plus sur la commande
NTD5802NT4G	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1	1729 Plus sur la commande
DMP3008SFGQ-13	MOSFET P-CH 30V 8.6A PWRDI3333-8	1269 Plus sur la commande
AO4425	MOSFET P-CH 38V 14A 8SOIC	108781 Plus sur la commande
AUIRFS4115	MOSFET N-CH 150V 99A D2PAK	4711 Plus sur la commande
TPH5900CNH,L1Q	MOSFET N-CH 150V 9A 8SOP	903 Plus sur la commande
SI2315BDS-T1-E3	MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3	118882 Plus sur la commande