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SCT2120AFC

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Numéro d'article	SCT2120AFC
LIXINC Part #	SCT2120AFC
Fabricant	ROHM Semiconductor
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	SICFET N-CH 650V 29A TO220AB
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	SCT2120AFC Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 29 - Oct 03 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

SCT2120AFC Caractéristiques

Numéro d'article:	SCT2120AFC
Marque:	ROHM Semiconductor
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	ROHM Semiconductor
série:	-
emballer:	Tube
état de la pièce:	Obsolete
type fet:	N-Channel
technologie:	SiCFET (Silicon Carbide)
tension drain-source (vdss):	650 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	29A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	18V
rds sur (max) @ id, vgs:	156mOhm @ 10A, 18V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 3.3mA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	61 nC @ 18 V
vg (max):	+22V, -6V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	1200 pF @ 500 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	165W (Tc)
température de fonctionnement:	175°C (TJ)
Type de montage:	Through Hole
paquet de dispositif de fournisseur:	TO-220AB
paquet / caisse:	TO-220-3