NTMS4N01R2

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Numéro d'article NTMS4N01R2
LIXINC Part # NTMS4N01R2
Fabricant Rochester Electronics
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description MOSFET N-CH 20V 3.3A 8SOIC
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO NTMS4N01R2 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Jun 29 - Jul 03 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

NTMS4N01R2 Caractéristiques

Numéro d'article:NTMS4N01R2
Marque:Rochester Electronics
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:Rochester Electronics
série:-
emballer:Bulk
état de la pièce:Obsolete
type fet:N-Channel
technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):20 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:3.3A (Tj)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):-
rds sur (max) @ id, vgs:40mOhm @ 4.2A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:1.2V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:16 nC @ 4.5 V
vg (max):±10V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:1200 pF @ 10 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):770mW (Ta)
température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:8-SOIC
paquet / caisse:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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