IMBF170R450M1XTMA1 | IR (Infineon Technologies) IMBF170R450M1XTMA1 | IMBF170R450M1XTMA1 Inventory, Best Pricing

IMBF170R450M1XTMA1

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Numéro d'article	IMBF170R450M1XTMA1
LIXINC Part #	IMBF170R450M1XTMA1
Fabricant	IR (Infineon Technologies)
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	SICFET N-CH 1700V 9.8A TO263-7
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	IMBF170R450M1XTMA1 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Jul 05 - Jul 09 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

IMBF170R450M1XTMA1 Caractéristiques

Numéro d'article:	IMBF170R450M1XTMA1
Marque:	IR (Infineon Technologies)
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	IR (Infineon Technologies)
série:	CoolSiC™
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Active
type fet:	N-Channel
technologie:	SiCFET (Silicon Carbide)
tension drain-source (vdss):	1700 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	9.8A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	12V, 15V
rds sur (max) @ id, vgs:	450mOhm @ 2A, 15V
vgs(th) (max) @ id:	5.7V @ 2.5mA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	11 nC @ 12 V
vg (max):	+20V, -10V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	610 pF @ 1000 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	107W (Tc)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	PG-TO263-7
paquet / caisse:	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA