SI3442BDV-T1-E3

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Numéro d'article SI3442BDV-T1-E3
LIXINC Part # SI3442BDV-T1-E3
Fabricant Vishay / Siliconix
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description MOSFET N-CH 20V 3A 6TSOP
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO SI3442BDV-T1-E3 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 06 - Oct 10 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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SI3442BDV-T1-E3 Caractéristiques

Numéro d'article:SI3442BDV-T1-E3
Marque:Vishay / Siliconix
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:Vishay / Siliconix
série:TrenchFET®
emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:Active
type fet:N-Channel
technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):20 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:3A (Ta)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):2.5V, 4.5V
rds sur (max) @ id, vgs:57mOhm @ 4A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:1.8V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:5 nC @ 4.5 V
vg (max):±12V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:295 pF @ 10 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):860mW (Ta)
température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:6-TSOP
paquet / caisse:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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