TK58E06N1,S1X | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TK58E06N1,S1X

TK58E06N1,S1X

Agrandir

Pour référence seulement

Numéro d'article	TK58E06N1,S1X
LIXINC Part #	TK58E06N1,S1X
Fabricant	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 60V 58A TO220
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	TK58E06N1,S1X Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 07 - Oct 11 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

TK58E06N1,S1X Caractéristiques

Numéro d'article:	TK58E06N1,S1X
Marque:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
série:	U-MOSVIII-H
emballer:	Tube
état de la pièce:	Active
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	60 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	58A (Ta)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	10V
rds sur (max) @ id, vgs:	5.4mOhm @ 29A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 500µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	46 nC @ 10 V
vg (max):	±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	3400 pF @ 30 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	110W (Tc)
température de fonctionnement:	150°C (TJ)
Type de montage:	Through Hole
paquet de dispositif de fournisseur:	TO-220
paquet / caisse:	TO-220-3