NVBLS0D7N04M8TXG | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NVBLS0D7N04M8TXG

NVBLS0D7N04M8TXG

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Numéro d'article	NVBLS0D7N04M8TXG
LIXINC Part #	NVBLS0D7N04M8TXG
Fabricant	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 40V 240A 8HPSOF
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	NVBLS0D7N04M8TXG Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 07 - Oct 11 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

NVBLS0D7N04M8TXG Caractéristiques

Numéro d'article:	NVBLS0D7N04M8TXG
Marque:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
série:	Automotive, AEC-Q101
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Not For New Designs
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	40 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	240A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	10V
rds sur (max) @ id, vgs:	0.75mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	188 nC @ 10 V
vg (max):	±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	12000 pF @ 25 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	357W (Tj)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	8-HPSOF
paquet / caisse:	8-PowerSFN