IXTP08N50D2 | Wickmann / Littelfuse IXTP08N50D2 | IXTP08N50D2 Inventory, Best Pricing

IXTP08N50D2

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Numéro d'article	IXTP08N50D2
LIXINC Part #	IXTP08N50D2
Fabricant	Wickmann / Littelfuse
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 500V 800MA TO220AB
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	IXTP08N50D2 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 08 - Oct 12 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

IXTP08N50D2 Caractéristiques

Numéro d'article:	IXTP08N50D2
Marque:	Wickmann / Littelfuse
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Wickmann / Littelfuse
série:	-
emballer:	Tube
état de la pièce:	Active
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	500 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	800mA (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	-
rds sur (max) @ id, vgs:	4.6Ohm @ 400mA, 0V
vgs(th) (max) @ id:	-
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	12.7 nC @ 5 V
vg (max):	±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	312 pF @ 25 V
fonction fet:	Depletion Mode
puissance dissipée (max):	60W (Tc)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Through Hole
paquet de dispositif de fournisseur:	TO-220AB
paquet / caisse:	TO-220-3