DMN1019UVT-13 | Zetex Semiconductors (Diodes Inc.) DMN1019UVT-13

DMN1019UVT-13

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Numéro d'article	DMN1019UVT-13
LIXINC Part #	DMN1019UVT-13
Fabricant	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	DMN1019UVT-13 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 08 - Oct 12 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

DMN1019UVT-13 Caractéristiques

Numéro d'article:	DMN1019UVT-13
Marque:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)
état de la pièce:	Active
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	12 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	10.7A (Ta)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	1.2V, 4.5V
rds sur (max) @ id, vgs:	10mOhm @ 9.7A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	800mV @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	50.4 nC @ 8 V
vg (max):	±8V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	2588 pF @ 10 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	1.73W (Ta)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	TSOT-26
paquet / caisse:	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6