IRFIBF30GPBF | Vishay / Siliconix IRFIBF30GPBF | IRFIBF30GPBF Inventory, Best Pricing

IRFIBF30GPBF

Agrandir

Pour référence seulement

Numéro d'article	IRFIBF30GPBF
LIXINC Part #	IRFIBF30GPBF
Fabricant	Vishay / Siliconix
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 900V 1.9A TO220-3
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	IRFIBF30GPBF Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 09 - Oct 13 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

IRFIBF30GPBF Caractéristiques

Numéro d'article:	IRFIBF30GPBF
Marque:	Vishay / Siliconix
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Vishay / Siliconix
série:	-
emballer:	Tube
état de la pièce:	Active
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	900 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	1.9A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	10V
rds sur (max) @ id, vgs:	3.7Ohm @ 1.1A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	78 nC @ 10 V
vg (max):	±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	1200 pF @ 25 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	35W (Tc)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Through Hole
paquet de dispositif de fournisseur:	TO-220-3
paquet / caisse:	TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab