RJK0329DPB-01#J0

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Numéro d'article RJK0329DPB-01#J0
LIXINC Part # RJK0329DPB-01#J0
Fabricant Rochester Electronics
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description MOSFET N-CH 30V 55A LFPAK
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO RJK0329DPB-01#J0 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 10 - Oct 14 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
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RJK0329DPB-01#J0 Caractéristiques

Numéro d'article:RJK0329DPB-01#J0
Marque:Rochester Electronics
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:Rochester Electronics
série:-
emballer:Bulk
état de la pièce:Obsolete
type fet:N-Channel
technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):30 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:55A (Ta)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):-
rds sur (max) @ id, vgs:2.3mOhm @ 27.5A, 10V
vgs(th) (max) @ id:2.5V @ 1mA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:35 nC @ 4.5 V
vg (max):-
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:5.33 pF @ 10 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):60W (Tc)
température de fonctionnement:150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:LFPAK
paquet / caisse:SC-100, SOT-669

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