PHK31NQ03LT,518 | Rochester Electronics PHK31NQ03LT,518 | PHK31NQ03LT,518 Inventory, Best Pricing

PHK31NQ03LT,518

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Numéro d'article	PHK31NQ03LT,518
LIXINC Part #	PHK31NQ03LT,518
Fabricant	Rochester Electronics
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 30V 30.4A 8SO
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	PHK31NQ03LT,518 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 10 - Oct 14 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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PHK31NQ03LT,518 Caractéristiques

Numéro d'article:	PHK31NQ03LT,518
Marque:	Rochester Electronics
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Rochester Electronics
série:	TrenchMOS™
emballer:	Bulk
état de la pièce:	Obsolete
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	30 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	30.4A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	4.5V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:	4.4mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.15V @ 1mA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	33 nC @ 4.5 V
vg (max):	±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	4.235 pF @ 12 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	6.9W (Tc)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	8-SO
paquet / caisse:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)