CSD25304W1015 | Texas Instruments CSD25304W1015 | CSD25304W1015 Inventory, Best Pricing

CSD25304W1015

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Numéro d'article	CSD25304W1015
LIXINC Part #	CSD25304W1015
Fabricant	Texas Instruments
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	CSD25304W1015 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 10 - Oct 14 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

CSD25304W1015 Caractéristiques

Numéro d'article:	CSD25304W1015
Marque:	Texas Instruments
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Texas Instruments
série:	NexFET™
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Active
type fet:	P-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	20 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	3A (Ta)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	1.8V, 4.5V
rds sur (max) @ id, vgs:	32.5mOhm @ 1.5A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	1.15V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	4.4 nC @ 4.5 V
vg (max):	±8V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	595 pF @ 10 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	750mW (Ta)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	6-DSBGA
paquet / caisse:	6-UFBGA, DSBGA