IXTY08N100P

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Numéro d'article IXTY08N100P
LIXINC Part # IXTY08N100P
Fabricant Wickmann / Littelfuse
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description MOSFET N-CH 1000V 800MA TO252
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO IXTY08N100P Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Jul 07 - Jul 11 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
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IXTY08N100P Caractéristiques

Numéro d'article:IXTY08N100P
Marque:Wickmann / Littelfuse
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:Wickmann / Littelfuse
série:Polar™
emballer:Tube
état de la pièce:Active
type fet:N-Channel
technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):1000 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:800mA (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):10V
rds sur (max) @ id, vgs:20Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max) @ id:4V @ 50µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:11.3 nC @ 10 V
vg (max):±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:240 pF @ 25 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):42W (Tc)
température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:TO-252, (D-Pak)
paquet / caisse:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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