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Numéro d'article | IPD046N08N5ATMA1 |
LIXINC Part # | IPD046N08N5ATMA1 |
Fabricant | IR (Infineon Technologies) |
Catégorie | semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples |
Description | MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3 |
Cycle de vie | Actif |
RoHS | Aucune information RoHS |
Modèles EDA/CAO | IPD046N08N5ATMA1 Empreinte et symbole PCB |
Entrepôts | États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong |
Délai de livraison estimé | Oct 06 - Oct 10 2024(Choisissez l'expédition accélérée) |
garantie | Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]* |
Paiement | |
Expédition |
Numéro d'article: | IPD046N08N5ATMA1 |
Marque: | IR (Infineon Technologies) |
Cycle de vie: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Catégorie: | semi-conducteur discret |
Sous-catégorie: | transistors - fets, mosfets - simples |
Fabricant: | IR (Infineon Technologies) |
série: | OptiMOS™ |
emballer: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
état de la pièce: | Active |
type fet: | N-Channel |
technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
tension drain-source (vdss): | 80 V |
courant - drain continu (id) @ 25°c: | 90A (Tc) |
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé): | 6V, 10V |
rds sur (max) @ id, vgs: | 4.6mOhm @ 45A, 10V |
vgs(th) (max) @ id: | 3.8V @ 65µA |
charge de grille (qg) (max) @ vgs: | 53 nC @ 10 V |
vg (max): | ±20V |
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds: | 3800 pF @ 40 V |
fonction fet: | - |
puissance dissipée (max): | 125W (Tc) |
température de fonctionnement: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage: | Surface Mount |
paquet de dispositif de fournisseur: | PG-TO252-3 |
paquet / caisse: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
H5N5016PL-E | N-CHANNEL POWER MOSFET | 980 Plus sur la commande |
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IPB020NE7N3GATMA1 | MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK | 1003 Plus sur la commande |
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IXTY1R6N100D2 | MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO252 | 970 Plus sur la commande |
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RJK0301DPB-00#J0 | MOSFET N-CH 30V 60A LFPAK | 74068 Plus sur la commande |
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AUIRFS8403 | MOSFET N-CH 40V 123A D2PAK | 8247 Plus sur la commande |
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FCD850N80Z | MOSFET N-CH 800V 6A DPAK | 5804 Plus sur la commande |
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TSM60NB600CF C0G | MOSFET N-CH 600V 8A ITO220S | 4643 Plus sur la commande |
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STP60NF06L | MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB | 838 Plus sur la commande |
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FDP045N10A | 120A, 100V, 0.0045OHM, N CHANNEL | 3855 Plus sur la commande |
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RFD8P05SM | MOSFET P-CH 50V 8A TO252AA | 2846 Plus sur la commande |
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SIHB22N60E-E3 | MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK | 1277 Plus sur la commande |
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IPD40N03S4L08ATMA1 | MOSFET N-CH 30V 40A TO252-3-11 | 20306 Plus sur la commande |
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BSC042N03LSGATMA1 | MOSFET N-CH 30V 20A/93A TDSON | 10589 Plus sur la commande |
En stock | 10875 - Plus sur la commande |
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Limite de devis | Sans limites |
Délai de mise en œuvre | Être confirmé |
Le minimum | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $2.25000 | $2.25 |
2500 | $1.02805 | $2570.125 |
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