HUF75631P3

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Numéro d'article HUF75631P3
LIXINC Part # HUF75631P3
Fabricant Rochester Electronics
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description MOSFET N-CH 100V 33A TO220-3
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO HUF75631P3 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 07 - Oct 11 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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HUF75631P3 Caractéristiques

Numéro d'article:HUF75631P3
Marque:Rochester Electronics
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:Rochester Electronics
série:UltraFET™
emballer:Tube
état de la pièce:Obsolete
type fet:N-Channel
technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):100 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:33A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):10V
rds sur (max) @ id, vgs:40mOhm @ 33A, 10V
vgs(th) (max) @ id:4V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:79 nC @ 20 V
vg (max):±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:1.22 pF @ 25 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):120W (Tc)
température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
paquet de dispositif de fournisseur:TO-220-3
paquet / caisse:TO-220-3

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