STW18N60DM2

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Numéro d'article STW18N60DM2
LIXINC Part # STW18N60DM2
Fabricant STMicroelectronics
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description MOSFET N-CH 600V 12A TO247
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO STW18N60DM2 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 07 - Oct 11 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

STW18N60DM2 Caractéristiques

Numéro d'article:STW18N60DM2
Marque:STMicroelectronics
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:STMicroelectronics
série:MDmesh™ DM2
emballer:Tube
état de la pièce:Active
type fet:N-Channel
technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):600 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:12A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):10V
rds sur (max) @ id, vgs:295mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (max) @ id:5V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:20 nC @ 10 V
vg (max):±25V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:800 pF @ 100 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):90W (Tc)
température de fonctionnement:150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
paquet de dispositif de fournisseur:TO-247
paquet / caisse:TO-247-3

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1020$1.39659$1424.5218
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